全球速遞！3D NAND 堆疊可超 300 層，鎧俠解讀新技術
2023-05-05 14:19:54
來源：中關村在線
(資料圖片僅供參考)
5 月 5 日消息， 鎧俠和西數展示最新的技術儲備，雙方正在努力實現?8 平面 3D NAND 設備以及具有超過 300 條字線的 3D NAND IC。
根據其公布的技術論文，鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超過 210 個有源層和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，讀取延遲縮小到 40 微秒。
西部數據(wd) SN850 BLACK SN850(1TB)
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此外，鎧俠和西部數據還合作開發具有超過 300 個有源字層的 3D NAND 器件，這是一個具有實驗性的 3D NAND IC，通過金屬誘導側向結晶（MILC）技術提高通道的結晶質量，再利用尖端的鎳鑄方法來消除硅材料中的雜質和缺陷。
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