薩里大學的研究人員開發單晶硅產生新應變水平
2022-01-19 14:19:28
來源：前瞻網
薩里大學的研究人員開發了一種單步程序，使單晶硅能承受比以往更多的壓力。這一發現正在申請專利，可能對硅光子學的未來發展至關重要。硅光子學是物聯網背后技術的基礎，目前受制于缺乏實惠、高效和易于集成的光發射器。
將光子學完全轉移到硅上一直是一個長期的目標，雖然科學家在開發無源硅光子設備方面已經取得了許多成功，但使用周期表同一組元素的CMOS兼容激光器直到現在仍未實現。研究團隊正在利用他們的創新推進這項工作。
發表在《物理評論材料》期刊上的一篇新論文描述了該團隊如何通過離子植入懸浮膜中產生應變，其方式類似于收緊一個鼓皮。研究發現，整個過程可以產生高達3.1%的雙軸應變和高達8.5%的單軸應變。同時，研究員指出，通過改變植入物種類和利用底層晶體方向可以實現更大應變的途徑。該方法遠遠超過了以前使用方法的記錄。
這種新方法也是創造近紅外傳感器的重要一步，它可以為開發更復雜的智能手機鋪平道路——為它們安裝火災警報器和一氧化碳傳感器。
科學家表示：“這項新技術有望對光子學領域產生高度顛覆性的影響，我們期待繼續開發基于這項技術的新設備。”
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